Физические принципы работы и технологии полупроводниковых транзисторов

Дата добавления: 21 Декабря 2012 в 00:39
Автор работы: c*******@rambler.ru
Тип работы: курсовая работа
Скачать (53.13 Кб)
Работа состоит из  2 файла
Скачать документ  Открыть документ 

курсовик.docx

  —  49.06 Кб
Скачать документ  Открыть документ 

титул.docx

  —  10.54 Кб
Описание
Полупроводниковые приборы ( диоды и транзисторы) благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приёмники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надёжности.
Содержание
1. Введение
2. Физика работы транзистора
3. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области
4. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области
5. Заключение
6. Список литературы