Автор работы: Пользователь скрыл имя, 13 Ноября 2011 в 20:00, доклад
Схема процесса фотоаддитивной технологии (как пример одного из вариантов аддитивного метода):
• создание заготовки для печатной платы;
• сверление отверстий под металлизацию;
• нанесение фотоактивируемого катализатора на все поверхности заготовки и в отверстия. Катализатор поможет нанести медное покрытие;
• активация катализатора через фотошаблон-негатив, в котором вырезаны участки для меднения;
• толстослойное химическое меднение активированных участков печатной платы (печатных проводников и отверстий);
• отмывка платы от остатков технологических растворов и неактивированного катализатора;
Схема процесса фотоаддитивной технол
• создание заготовки для печатной платы;
• сверление отверстий под металлизацию;
• нанесение фотоактивируемого катализатора на все поверхности заготовки и в отверстия. Катализатор поможет нанести медное покрытие;
• активация катализатора через фотошаблон-негатив, в котором вырезаны участки для меднения;
• толстослойное химическое меднение активированных участков печатной платы (печатных проводников и отверстий);
• отмывка платы от остатков технологических растворов и неактивированного катализатора;
Готовая плата
• глубокая сушка печатной платы;
• нанесение паяльной маски;
• нанесение маркировки;
• обрезка платы по контуру;
• электрическое тестирование;
• приемка платы — сертификация.
Преимущества:
- использование нефольгированных материалов;
- возможность
воспроизведения тонкого
Недостатки:
- длительный контакт открытого диэлектрика с технологическими растворами металлизации, ухудшающими характеристики электрической изоляции без дополнительных мер по отмывке;
- длительность
процесса толстослойного
Полуаддитивный метод с дифференциальным травлением позволяет воспроизводить еще более тонкие проводники, чем вышеуказанные методы. На нефольгированный диэлектрик осаждают минимальный слой меди, чтобы обеспечить возможность дальнейшей металлизации проводников и отверстий. И так как вытравливается только этот минимальный слой (около 3 мкм), то величина подтравов минимальна (до 2 мкм), что позволяет воспроизводить проводники малой ширины. В этом случае воспроизведение рисунка определяется преимущественно толщиной используемого фоторезиста, толщина которого должна создать рельеф для металлизации, чтобы она не «выплескивалась» за границы трассы. Поэтому и в этом методе вынуждены применять относительно «толстый» фоторезист толщиной около 30 мкм.
Рис. 4. Схема полуаддитивного метода
с дифференциальным травлением
Схема процесса представлена на рис. 4.
Величина П/З
для данного метода определяется
разрешением фоторезиста и
Метод ПАФОС
Аддитивные
процессы позволяют уменьшить ширину
проводников и зазоров до 50-100
мкм при толщине проводников 30-50
мкм. Один из перспективных вариантов
реализации такого процесса с использованием
электрохимического осаждения металлов
(ПАФОС) показан на рисунке.
На листах формируется защитный рельеф
пленочного фоторезиста. Проводники получают
гальваническим осаждением тонкого слоя
никеля (2-3 мкм) и меди (30-50 мкм) во вскрытые
в фоторезисте рельефы. Затем пленочный
фоторезист удаляют и проводящий рисунок
на всю толщину впрессовывают в диэлектрик.
Прессованный слой вместе с медной шиной
механически отделяют от поверхности
временных носителей. В слоях без межслойных
переходов медная шина стравливается.
осаждение
меди на поверхность носителя нанесение фоторезиста экспонирование проявление |
осаждение никеля осаждение меди в окна фоторезиста снятие фоторезиста набор пакета носителей |
прессование пакета механическое удаление носителей травление тонкого медного слоя |
При изготовлении двухсторонних слоев с межслойными переходами перед травлением тонкой медной шины создают межслойные переходы посредством металлизации отверстий с контактными площадками (рис. 3). Проводящий рисунок, утопленный в диэлектрик и сверху защищенный слоем никеля, не подвергается травлению при удалении медной шины. Поэтому форма, размеры и точность проводящего рисунка определяется рисунком рельефа в пленочном фоторезисте, то есть процессами фотолитографии.
Дальнейшее
повышение плотности монтажа
методом ПАФОС и уменьшение ширины
проводников до 50 мкм и меньше возможно
при использовании лазерных методов формирования
рисунка непосредственно в диэлектрике.
Наиболее подходят для этого углекислотные
лазеры, лучи которых могут быть сфокусированы
до 35-40 мкм.
Информация о работе Методы нанесения рисунка на печатные платы