Физические принципы работы и технологии полупроводниковых транзисторов

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Декабря 2012 в 00:39, курсовая работа

Описание

Полупроводниковые приборы ( диоды и транзисторы) благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приёмники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надёжности.

Содержание

1. Введение
2. Физика работы транзистора
3. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области
4. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области
5. Заключение
6. Список литературы

Работа состоит из  2 файла

курсовик.docx

— 49.06 Кб (Скачать документ)

 

Заключение

Транзистор представляет собой  полупроводниковый прибор, предназначенный  для использования в устройствах, осуществляющих генерацию и усиление электрических колебаний. Основой  любого транзистора является кристаллическая  пластинка полупроводника, в котором  используются те или иные свойства полупроводникового материала и  электронно – дырочных переходов, в результате чего представляется возможным с помощью слабых управляющих токов или напряжений получать более мощные электрические колебания требуемого вида.

Подобно тому, как существует большое  множество разновидностей диодов, известно большое число видов и разновидностей транзисторов.

Транзисторы различаются по числу  основных видов носителей заряда, используемых при работе прибора. Транзисторы, в которых используются оба вида носителей, дырки и электроны, называются биполярными. В зависимости от геометрической структуры размещения зон с различной проводимостью они могут быть прямой (p – n – p) или обратной проводимости (n – p – n). Транзисторы, у которых используется только один основной носитель заряда, например, только дырки или только электроны, называются полярными

Самыми известными и доступными являются биполярные транзисторы прямой (p – n – p) и обратной (n – p – n) проводимости. Менее известны и доступны полевые транзисторы с каналом p и n типа.

 

 

Список литературы

  • "Электронные твердотельные приборы"- Е.И. Бочаров, Г.Б. Гогоберидзе, Ю.М. Першин, К.С. Петров, А.Н. Штагер
  • "Руководство к лабораторным работам по курсу "Электронные твердотельные приборы (Выпуск 2)"
  • "Пассивные компоненты радиоэлектронной аппаратуры" - К.С.Петров
  • Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники.
  • Бергельсон И. Г., Минц В. И. Транзисторы биполярные.

Информация о работе Физические принципы работы и технологии полупроводниковых транзисторов