Автор работы: Пользователь скрыл имя, 05 Февраля 2013 в 08:35, курсовая работа
Необходимость получения большого входного сопротивления Rвх=50 кОм требует установки на вход истокового повторителя. Ввиду низкой нижней граничной частоты желательно использование минимального числа блокировочных и разделительных конденсаторов, или необходимо выбрать номиналы этих конденсаторов довольно большими. Т.к. сопротивление нагрузки велико, выходной каскад следует выполнить по схеме ОЭ – ОБ на маломощном транзисторе.
1. Техническое задание ……………………………………………………3
2. Анализ технического задания…………………………………………..4
3. Расчет числа каскадов…………………………………………………...5
4. Расчет выходного каскада……………………………………………….8
5. Расчет промежуточного каскада……………………………………….12
6. Расчет входного каскада………….…………………………………….15
7. Расчет истокового повторителя………………………………………...18
8. Расчет амплитудно-частотных характеристик усилителя….………...20
Заключение…………………………………………………………………26
Список литературы………………………………………………………...27
Приложение А Принципиальная схема усилителя………………………28
Приложение Б Спецификация…………………………………………….29
Федеральное государственное автономное
образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ
Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Проектирование широкополосного усилителя
Пояснительная записка
Студентка,
гр. РФ 08-10
Руководитель
Красноярск 2010
СОДЕРЖАНИЕ
1. Техническое задание …………………………
2. Анализ технического задания…………………………………………..4
3. Расчет числа каскадов………………………
4. Расчет выходного каскада……………………………………………….8
5. Расчет промежуточного каскада……………………………………….12
6. Расчет входного каскада………….…………………………………….15
7. Расчет истокового повторителя………………………………………...
8. Расчет амплитудно-частотных характеристик усилителя….………...20
Заключение……………………………………………………
Список литературы…………………………………
Приложение А Принципиальная схема усилителя………………………28
Приложение Б Спецификация……………
ЭДС входного сигнала (E) 2мВ
Нагрузка:
- активная (Rн) 100 кОм
- емкость (Cнд) 50 пФ
Частотные искажения:
- нижние частоты (Mн) 2.8 дБ
- верхние частоты (Mв) 3 дБ
Температура:
- минимальная (Tн) -5 °C
- максимальная (Tв) 40 °C
Сопротивление источника (Rист) 200 Ом
Граничные частоты:
- нижняя (fн) 40 Гц
- верхняя (fв) 18 МГц
Входное сопротивление (Rвх) 50 кОм
Амплитуда выходного сигнала (Eвых) 1 В
Нестабильность коэффициента усиления (dK) 5 %
Необходимость получения большого входного сопротивления Rвх=50 кОм требует установки на вход истокового повторителя. Ввиду низкой нижней граничной частоты желательно использование минимального числа блокировочных и разделительных конденсаторов, или необходимо выбрать номиналы этих конденсаторов довольно большими. Т.к. сопротивление нагрузки велико, выходной каскад следует выполнить по схеме ОЭ – ОБ на маломощном транзисторе.
Задаваясь коэффициентом запаса Kз=1.5, определяем расчетный коэффициент усиления:
Необходимое число каскадов при Km=40 оказывается:
Определим требования к отдельным каскадам:
1) коэффициент усиления каскада:
2) коэффициент частотных искажений на нижних частотах:
3) коэффициент частотных
4) нестабильность усиления в каждом каскаде:
5) коэффициент нелинейных
Определяем необходимую
площадь усиления для каждого
каскада. Глубина обратной связи, необходимая
для получения заданного
Так как граничная частота
Из графика (рис.1) находим проигрыш в площади усиления по сравнению с параллельной коррекцией:
K'=0.65
Рисунок 1 – Потери площади усиления при эмиттерной коррекции
Выигрыш, обеспечиваемый простой параллельной коррекцией при заданных частотных искажениях на высоких частотах Мвi, определяется из графика (рис.2). Значение Kk/Kopt зададим на уровне 0.9, так как допустимый подъем характеристики достаточно велик:
Рисунок 2 – Выигрыш площади усиления при простой параллельной коррекции
Окончательно выигрыш в
Рассчитываем необходимую
верхнюю граничную частоту
Для необходимой площади усиления каскада теперь можно получить:
Такая площадь может быть обеспечена с помощью усилительной секции общий эмиттер – база, например на интегральной микросхеме типа К265УВ6.
Учитывая небольшое выходное напряжение при высокоомной нагрузке, этот же тип интегральной схемы применяется и в выходном каскаде. Для входного истокового повторителя выбираем высокочастотный полевой транзистор КП305Ж.
Таким образом, для рассчитываемого усилителя принимается четырёхкаскадная схема, содержащая входной истоковый повторитель, выполненный на дискретном элементе, и три активных каскада, выполненных по схеме общий эмиттер – база на интегральных микросхемах К256УВ6.
Структурная схема усилителя изображена на рисунке 3.
Рисунок 3 – Структурная
схема усилителя
Схема выходного каскада приведена на рисунке 4.
Рисунок 4 – Схема электрическая К256УВ6
Задаваясь предварительно величинами емкости монтажа Cм=5 пФ и выходной емкостью транзистора Cб’к=5 пФ, для максимально допустимого сопротивления нагрузки получим:
Ориентируясь на интегральную схему К265УВ6 с током покоя Ik=4.4 мА, для минимально допустимого сопротивления нагрузки:
Так как условие Rнmax>Rнmin выполняется и типовое коллекторное сопротивление Rк=670 Ом лежит в указанных пределах, выбираем его в качестве коллекторного сопротивления.
Уточненное значение нагрузки каскада можно подсчитать по формуле:
Для расчета минимально допустимого коллекторного напряжения предварительно зададимся DIk = 0.1Ik = 0,44 мА, Uост=2 В, Uэ2=0.6 В (напряжение на эмиттере транзистора включенного с общей базой). Для напряжения питания:
Так как полученное значение меньше типового, выбираем Ek = 6,3 В.
Для интегральной схемы использован типовой режим, поэтому значения токов и напряжения, а также параметры транзисторов возьмем:
, , ,.
, ,
Сопротивление эквивалентного генератора:
где Rкпр – сопротивление коллектора предыдущего каскада (ИС типа К265УВ6); R1 и R3 – сопротивления базового делителя МС. Эквивалентное сопротивление цепи смещения:
Емкость нагрузки:
Оценим достижимую площадь усиления:
Поскольку достижимая площадь усиления больше требуемой, требования к частотным свойствам выполнены.
Входное сопротивление транзистора с учетом обратной связи:
Величина сопротивления обратной связи:
Выбрав большее из относительных приращений коэффициентов передачи по току:
Оцениваем нестабильность усиления каскада:
Полученная нестабильность удовлетворяет условию.
Для расчета емкости коррекции оцениваются постоянные времени каскада:
и корректируемого звена:
Оптимальный коэффициент коррекции:
При ранее выбранном Кк/Кopt = 0.9 выражение для корректирующей емкости:
При расчёте переходных емкостей (на входе и на выходе) и блокировочной ёмкости зададимся и . Эквивалентная постоянная времени каскада на нижних частотах определяется:
Следовательно, постоянные времени каждой из ёмкостей:
Эквивалентные сопротивления для низких частот:
Величины каждого из конденсаторов рассчитываются по формулам:
Сопротивление шунтирования:
Схема промежуточного каскада изображена на рисунке 4.
Режим транзистора, его параметры те же, что и в выходном каскаде, поэтому их можно здесь не рассчитывать.
Сопротивление генератора в данном каскаде, как и в выходном:
Откуда площадь усиления оказывается равной:
где
Поскольку достижимая площадь усиления больше требуемой, требования к частотным свойствам выполнены.
Сопротивление нагрузки с учетом входного сопротивления выходного каскада:
Требуемое входное сопротивление:
Сопротивление обратной связи:
Нестабильность усиления каскада:
Полученная нестабильность удовлетворяет условию.
Для расчета емкости коррекции оценим постоянные времени каскада:
и корректируемого звена:
Оптимальный коэффициент коррекции:
При ранее выбранном Кк/Кopt = 0.9 выражение для корректирующей емкости:
Эквивалентная постоянная каскада на нижних частотах:
Следовательно, постоянные времени каждой из ёмкостей:
Эквивалентные сопротивления для низких частот:
Величины каждого из конденсаторов рассчитываются по формулам:
Сопротивление шунтирования:
Схема входного каскада изображена на рисунке 4.
Значения токов, напряжений, а также параметры транзисторов рассчитаны в пункте 4:
Сопротивление нагрузки каскада для расчета коэффициента усиления:
Сопротивление нагрузки каскада для расчета площади усиления:
Сопротивление генератора:
Уточнив емкость нагрузки:
Оцениваем достижимую площадь усиления:
Поскольку достижимая площадь усиления больше требуемой, требования к частотным свойствам выполнены.
Входное сопротивление транзистора с учетом обратной связи:
Величина сопротивления обратной связи:
Выбрав большее из относительных приращений коэффициентов передачи по току:
Оценивается нестабильность усиления каскада:
Полученная нестабильность удовлетворяет условию.
Для расчета емкости коррекции оцениваются постоянные времени каскада:
и корректируемого звена:
Оптимальный коэффициент коррекции:
При ранее выбранном Кк/Кopt = 0.9 выражение для корректирующей емкости:
Для разделительной и блокировочной емкостей aвх=2, aбл=0.5.
Эквивалентная постоянная каскада на нижних частотах:
Следовательно, постоянные времени каждой из ёмкостей:
Эквивалентные сопротивления для низких частот:
Сопротивление шунтирования:
Информация о работе Проектирование широкополосного усилителя