Полупроводниковая ИМС

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 11 Марта 2012 в 20:23, лабораторная работа

Описание

Цель работы:
Ознакомиться на опыте и теоретически изучить устройство полупроводниковой интегральной микросхемы.

Работа состоит из  1 файл

Лаба 01.docx

— 770.08 Кб (Скачать документ)

Цель работы:

Ознакомиться  на опыте и теоретически изучить  устройство полупроводниковой интегральной микросхемы.

Краткая теория.

В процессе развития микроэлектроники  номенклатура ИМС непрерывно изменялась. Главный тип ИМС в настоящее время — полупроводниковые ИМС.

Полупроводниковая ИМС — это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИМС составляют основу современной микроэлектроники.

Микросхемы представляют собой  операционые усилители средней точности с высоким усилением, малыми входными токами, внутренней частотной коррекцией и защитой выхода от короткого замыкания. Корпус К140УД6 типа 301.8-2, масса не более 1,3 г., КР140УД6 типа 201.14-1 масса не более 1,1 г, КР140УД608 типа 2101.8-1.

  
 
Корпус К140УД6

  
 
Корпус КР140УД6

 

 

Корпус КР140УД608


 

 

Типовая схема  включения

Назначение выводов КР140УД6: 
1,2,7,8,12,13,14 - свободные; 
3,9 - балансировка; 
4 - вход инвертирующий; 
5 - вход неинвертирующий; 
6 - напряжение питания -Uп
10 - выход; 
11 - напряжение питания +Uп;

Назначение выводов К140УД6, К140УД608: 
1,5 - балансировка; 
2 - вход инвертирующий; 
3 - вход неинвертирующий; 
4 - напряжение питания -Uп
6 - выход; 
7 - напряжение питания +Uп;


Электрические параметры:

1

Напряжение питания

15 В 10%

2

Выходное напряжение

не менее 11 В

3

Напряжение смещения нуля

10 мВ

4

Входной ток

не более 100 нА

5

Разность входных токов

не более 25 нА

6

Ток потребления

не более 4 мА

7

Коэффициент усиления напряжения

не менее 30000

8

Входное сопротивление

1 мОм

9

Коэффициент ослабления синфазных входных  напряжений

не менее 70 дБ

10

Скорость нарастания входного напряжения

не менее 0,5 В

11

Частота единичного усиления

не менее 0,35 МГц


 
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации:

1

Напряжение питания

(5...18) В

2

Входное синфазное напряжение

15 В

3

Входное дифференциальное напряжение

не более 30 В

4

Температура окружающей среды

-10...+70 ° C


Зарубежные  аналоги:

MC1456P, MC1456CG

Ход работы:

При выполнении лабораторной работы ознакомились с  полупроводниковой ИМС КР140УД6, представленную ниже:

 

 

Наблюдали видимые  на ней дорожки, представленные резисторами, конденсаторами и транзисторами а так же их выводы (места припайки).

 

Вывод: в ходе выполнения данной лабораторной работы ознакомились полупроводниковой ИМС КР140УД6, а так же изучили общее устройство и характеристики полупроводниковых ИМС.


Информация о работе Полупроводниковая ИМС