Определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 22 Мая 2013 в 23:09, лабораторная работа

Описание

Цель работы: определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника с помощью определения температурной зависимости электропроводности.
Энергия ионизации примеси и ширина запре¬щенной зоны могут быть найдены из измерений электропроводности или постоянной Холла в за¬висимости от температуры, а также из спектраль-ного распределения коэффициента оптического поглощения или фототока полупроводника.
В настоящей работе эти величины опреде¬ляются из температурной зависимости электропроводности.

Работа состоит из  1 файл

2_Shirina_zapr_zony.doc

— 166.00 Кб (Скачать документ)

 

График зависимости сопротивления от температуры:

Теперь построим график зависимости Inσ(1/T) и с помощью тангенса угла наклона определим ширину запрещенной зоны.

tgα= 3.25/0,0009= 3611

ΔE=2κ tgα

ΔE =2*8.62*10-5*3611=0.62(эВ)


Информация о работе Определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника