ОЖЕ-электронная спектроскопия

ОЖЕ-ЭЛЕКТРОНHАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ 

С. С. ЕЛОВИКОВ

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова 

    ВВЕДЕНИЕ 

Для исследования твердых тел используется множество  различных методов, позволяющих  получать исчерпывающую информацию о химическом составе, кристаллической структуре, распределении примесей и многих других свойствах, представляющих как чисто научный, так и практический интерес. В настоящее время особое значение придается методам анализа поверхности (под поверхностью подразумевается граница раздела фаз, см. [1]). Когда говорят о поверхности твердого тела, то чаще всего имеется в виду граница раздела между газообразной и твердой фазами. Столь пристальное внимание к поверхности связано с ее уникальными свойствами, которые, с одной стороны, в сильной степени влияют на характеристики самого твердого тела, а с другой — могут быть использованы для создания приборов и устройств нового поколения.

В подавляющем  большинстве методов анализа  поверхности используются различного рода явления, происходящие при воздействии на нее корпускулярных частиц и электромагнитных излучений. Если такого рода воздействия приводят, например, к испусканию электронов, а информацию о свойствах поверхности получают при анализе электронных спектров, то говорят о методах электронной спектроскопии. В отличие от других частиц электроны не изменяют состава остаточной атмосферы сверхвысоковакуумных камер, в которых проводятся исследования, легко регистрируются и поддаются счету. Последнее обстоятельство позволяет достаточно просто проводить количественный анализ поверхности, то есть получать, например, данные о концентрациях атомов различных элементов.

Среди всех электронно-спектроскопических методик особое место занимает оже-электронная спектроскопия (ОЭС), которая, пожалуй, является самой распространенной методикой. 
 

    ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ. 

    Эффект Оже 

Эффект, на котором  основана ОЭС, был открыт в 1925 году французским  физиком Пьером Оже (Р. Auger) (отсюда и название метода). Суть его состоит в следующем.

На рис. 1 показан  фрагмент электронной структуры  атома, в состав которого входят три  электронных уровня, частично или полностью занятые электронами (на рис. 1 они обозначены как К, L_x, L₂). Если атом обстреливается ускоренными электронами е, энергия которых выше потенциала ионизации уровня К, то существует вероятность ионизации этого уровня, в результате чего на нем образуется вакансия (обозначена светлым кружком). Такое состояние энергетически невыгодно для атома, поэтому через некоторое время вакансия заполняется за счет перехода электрона с вышележащего уровня L₁ (переход обозначен стрелкой 1). При этом выделяется энергия, равная разности энергий связи электрона на уровнях К и L₁. В дальнейшем процесс может идти двумя путями: либо будет испущен рентгеновский фотон, либо эта энергия безызлучательным способом будет передана другому электрону, находящемуся, например, на уровне L₂. Если этой энергии будет достаточно, то произойдет ионизация уровня L₂, в результате чего будет испущен электрон (стрелка 2 на рис. 1). Реализация второй возможности и есть собственно оже-процесс, а эмитируемый электрон называют оже-электроном.

Оказывается, что, измерив энергию такого электрона, можно определить, какому элементу Периодической таблицы Менделеева соответствуют обстреливаемые электронным пучком атомы. Такая возможность объясняется тем, что энергия оже-электронов не зависит от энергии бомбардирующих электронов, а определяется только электронной структурой атомов, которая хорошо известна. 

                          Рис. 1. Схематическое изображение оже-процесса в атоме 
 

Если обозначить оже-процесс обычным образом через  последовательность уровней, принимающих  в нем участие, КL₁L₂, то в первом приближении энергия оже-электронов Е(KL₁ L₂) определяется формулой 

E(KL₁L₂) = Е(К) - E(L₁) - E(L₂),                   (1) 

где Е(К), E(L₁) и E(L₂) — энергии связи электронов на уровнях K, L₁, L₂.

При более строгом  подходе для энергии оже-электронов вводят поправку ∆Е, связанную с  тем, что после оже-процесса в атоме образуются две дырки. Существуют различные способы определения ∆Е. Самым простым является способ, при котором наличие дырок учитывается привлечением данных для соседнего элемента с более высоким атомным номером. Тогда в общем случае для любого оже-процесса ABC, происходящего в атоме с порядковым номером Z, можно записать 

E^Z(ABC) = E(A)^Z- E(B)^Z-E(C)^Z+1 ,                      (2) 

где через А, В и С по-прежнему обозначены уровни, участвующие в процессе.

В твердых телах  наличие двух дырок приводит к перераспределению зарядов и возникающая при этом поляризация увеличивает энергию эмитируемых электронов по сравнению со свободными атомами. Этот сдвиг в некоторых случаях может достигать 10-20 эВ. 

    Глубина выхода оже-электронов 

Главным преимуществом ОЭС по сравнению с многими другими методами является очень малая глубина анализа, что делает эту методику пригодной для исследования поверхности. В свою очередь, глубина анализа определяется длиной свободного пробега электронов в твердом теле в смысле неупругих взаимодействий. Понятно, почему это так. Если зародившийся в твердом теле оже-электрон при движении к поверхности испытает хоть одно неупругое взаимодействие (например, совершит ионизацию атома), то он потеряет часть энергии и не будет зарегистрирован в интересующем нас месте энергетического спектра вторичных электронов, который формируется при бомбардировке твердого тела ускоренными электронами. То есть оже-электроны, рожденные на глубине большей, чем длина свободного пробега, не будут нести информацию о нахождении атомов данного сорта. Длина свободного пробега в сильной степени зависит от скорости движения, а следовательно, и от энергии электронов. Обычно исследуются оже-электроны с энергиями от нескольких десятков электронвольт до нескольких килоэлектронвольт. Во всех материалах длина свободного пробега (а следовательно, и глубина анализа) таких электронов не превышает 2—3 нм, то есть величины, сопоставимой с периодом кристаллической решетки твердого тела. При этом львиная доля информации поступает с глубины 0,5-1,0 нм, что и делает ОЭС уникальным методом исследования поверхности. 

    РЕАЛИЗАЦИЯ МЕТОДА 

    Регистрация оже-электронов 

      Если оже-эффект был открыт  в 1925 году, то первые приборы,  в которых он был использован  для исследования поверхности, появились лишь в 60-х годах XX века. Для того чтобы объяснить такую большую задержку во времени, нам придется узнать, что представляет собой спектр вторичных электронов, образующихся при бомбардировке твердого тела ускоренными электронами. Оказывается, что в области энергий, в которой находятся оже-электроны, существует большое количество неупругорассеянных первичных электронов, которые образуют сплошной спектр, являющийся фоном, на котором приходится выделять оже-электроны. Ток неупругорассеянных электронов на несколько порядков превышает ток оже-электронов, поэтому возникает обычная труднорешаемая задача выделения полезного сигнала на уровне большого фона. Эта задача впервые была решена в 1962 году JI.A. Харрисом, после чего начался период бурного развития оже-электронной спектроскопии. 

Рис. 2. Участок энергетического спектра вторичных электронов: а - до дифференцирования, N(E),           б – после дифференцирования,

Чтобы понять, как была решена эта задача, обратимся к рис. 2, а, на котором изображен участок энергетического спектра (N — число электронов, Е — их энергия) вторичных электронов, в который попадают и оже-электроны с энергией Е₁.

Как видно из рис. 2,а, оже-электроны образуют однополярный пик очень малой интенсивности, который накладывается на большой фоновой ток неупруго- рассеянных электронов, при этом последний относительно слабо зависит от энергии. Харрис предложил продифференцировать спектр N(E), то есть превратить его в dN/dE, в результате чего фон практически исчезает, а на месте слабого оже-сигнала колоколообразной формы появляется интенсивный двухполярный пик с амплитудой А (рис. 2,б), который легко может быть зарегистрирован. При этом дифференцирование осуществляется электрическими методами непосредственно в процессе записи спектра. 
 
 

    Получение энергетического спектра 

Для обнаружения  оже-электронов необходимо уметь выделять электроны, находящиеся в очень  узком интервале энергий. Для этих целей используют специальные устройства, называемые энергоанализаторами. В оже-спектроскопии чаще всего используют электростатические анализаторы, и в частности анализаторы типа "цилиндрическое зеркало⁵'. На рис. 3 приведено схематическое изображение такого анализатора, позволяющее понять принцип его действия.

Одновременно  с этим показан образец 1, бомбардируемый ускоренными электронами, который в данном случае является источником вторичных электронов, в том числе и оже-электронов. 

Рис. 3. Схематическое изображение энергоанализатора типа "цилиндрическое зеркало": 1 - образец, 2 - внутренний цилиндр, 3 - внешний цилиндр, 4 - окна для входа и выхода электронов, 5 - коллектор, 6 - магнитный экран 
 

Основными элементами анализатора служат два металлических  коаксиальных цилиндра 2 и 3 с радиусами r₁ и r₂. Внутренний цилиндр обычно заземляют, а на внешний подается отрицательный (относительно земли) потенциал, который может быть изменен в достаточно широких пределах. Таким образом, между цилиндрами формируется анализирующее поле. Вторичные электроны через специальные входные окна во внутреннем цилиндре попадают в это поле и при своем движении отклоняются к оси цилиндра. При некотором значении потенциала U на внешнем цилиндре только электроны с энергией Е проходят в выходные окна во внутреннем цилиндре и попадают на коллектор. Изменение потенциала U приведет к тому, что на коллекторе будут собираться электроны с другим значением энергии. Если осуществить медленную развертку напряжения между цилиндрами, то будет записан непрерывный спектр вторичных электронов. Это сильно упрощенное описание принципа работы анализатора. На самом деле движение электронов происходит по достаточно сложным траекториям, а регистрируются электроны не с фиксированной энергией (даже при U — const), а в некотором интервале энергий, который определяется конструкцией анализатора, качеством его изготовления и другими факторами. Этот интервал определяет энергетическое разрешение анализатора, то есть минимальное расстояние между двумя близко лежащими пиками в спектре, которые еще могут быть различимы.

На точность измерений энергий влияют внешние  магнитные поля (в том числе  и магнитное поле Земли). Это связано  с тем, что легкие электроны сильно отклоняются даже в слабых магнитных полях. Для защиты от них используется специальный магнитный экран 6            (см. рис.3). 

    КОЛИЧЕСТВЕННАЯ  ОЖЕ-СШКТРОСКОПИЯ 

Основной задачей  количественной ОЭС является определение концентраций атомов, входящих в состав многокомпонентных образцов. Понятно, что интенсивность оже-сигналов (ток электронов, появляющихся в результате оже-процесса ABC в атомах какого-либо сорта) и концентрация атомов взаимосвязаны. Для того чтобы установить эту связь, коротко рассмотрим основные факторы, влияющие на величину этого тока. 

    Сечение ионизации 

Первым и необходимым  этапом любого оже-процесса является ионизация  внутреннего уровня первичным электроном. В качестве характеристики эффективности ионизации используют величину сечения ионизации σ, которая зависит как от глубины залегания уровня, так и от энергии первичного электрона. Сечение ионизации есть не что иное, как вероятность ионизации в расчете на один атом. Зависимость σ от энергии имеет достаточно сложный характер, и универсальной формулы для его определения не существует. Чаще всего пользуются полуэмпирическими формулами, которые хорошо согласуются с экспериментальными данными. Согласно этим выражениям существует энергетический порог, совпадающий с энергией связи электрона Е(А ) на уровне А. При энергии первичного электрона Е_p, равной      (3—4)Е(А), характерен максимум, после которого наблюдается медленный спад. Из такого упрощенного описания уже можно сделать вывод о том, что максимальное число оже-электронов, а следовательно, и максимальная чувствительность метода реализуется в случае, когда Е_р = (3—4)∙Е(А). 

    Вероятность оже-процесса 

Следующий этап — сам оже-процесс, характеризуемый  вероятностью γ, от которой также зависит количество образующихся оже-электронов. Вспомним, что конкурирующим процессом после ионизации уровня является излучение фотона (флуоресценция). Оказывается, что гораздо проще определить выход флуоресценции ω, чем величину γ. Поэтому для описания вероятности оже- процесса пользуются величиной 1 - ω. Надо заметить, что для большинства оже-переходов со близок к нулю.