Аппроксимация зависимости ширины запрещенной зоны полупроводников от температуры
Курсовая работа, 15 Марта 2012, автор: пользователь скрыл имя
Описание
Целью данного курсового проекта является изучение методов приближенного вычисления и разработка учебно-демонстрационной программы аппроксимации зависимости ширины запрещенной зоны от температуры. Курсовой проект выполнен в среде Microsoft Visual Studio 2008.
Разработка проекта проходила в несколько стадий, заключавшихся в изучении предметной области задачи, изучении метода наименьших квадратов, разработке учебно-демонстрационной программы, включающей в себя возможности указания параметров полупроводника и порядка аппроксимации.
Содержание
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ТЕХНИЧЕСКИЙ ПРОЕКТ 4
1.1. Предметная область 4
1.2. Метод наименьших квадратов 8
1.3. Требования к техническому и программному обеспечению 10
1.3.1. Требования к программному обеспечению 11
1.3.2. Требования к техническому обеспечению 11
2. РАБОЧИЙ ПРОЕКТ 12
2.1. Общие сведения работе программы 12
2.3. Описание программы 12
2.3. Алгоритм работы программы 14
2.4. Системные требования к компьютеру 15
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 17
ЛИТЕРАТУРА 18
ПРИЛОЖЕНИЕ 19