Автор работы: Пользователь скрыл имя, 23 Декабря 2012 в 20:17, курсовая работа
Краткие характеристики.
В методе Лауэ используется сплошной рентгеновский спектр, длина волны излучения не является постоянной,
кристалл при съёмке неподвижен,
из спектра используется набор длин волн от lmin до lмах, интенсивность которых достаточна для того, чтобы вызвать заметное почернение фотопленки. Лучи с большей или меньшей длиной волны дают очень слабые интерференционные пятна, которые уже не различаются.
Исследование монокристаллов методом Лауэ 3
Построение дифракционной картины 3
Схема съемки кристалла по методу Лауэ 4
Ориентация монокристалла по методу Лауэ 4
Порядок определения ориентировки монокристалла в пространстве по методу Лауэ 5
Результаты практической работы по изучению метода Лауэ 7
Исследование поликристаллических веществ методом Дебая 8
Исследование поликристаллических веществ методом Дебая 8
Съемка поликристаллических веществ в дебаевской камере 9
Порядок расположения и возможное число линий на дебаеграммах 10
Фазовый анализ вещества 12
Определение параметров кристаллической решетки по дебаеграмме 13
Точность определения параметров кристаллической решетки 14
Результаты практической работы по изучению метода Дебая 15
Метод вращения 16
Съемки в камере вращения 16
Принципы построения дифракционной картины 17
Определение периода идентичности вдоль оси вращения 19
Индицирование рентгенограммы вращения 20
Результаты практической работы по изучению метода вращения 23
Дифрактометрия 24
Принцип работы дифрактометра 24
Результаты практической работы по изучению метода вращения(по дифрактограмме) 26
Электронография 28
Исследование поликристаллических текстурированных образцов 28
Расчет электронограммф текстурированного образца 30
Результаты практической работы по изучению метода электронографии 31